Россия
В продолжении первой части обзора [1] рассматривается дальнейшая история разработок твердотельных детекторов и особенности их конструкций. Основное внимание уделяется лавинным фотодиодам и кремниевым фотоумножителям, которые являются наиболее чувствительными и потому наиболее востребованными твердотельными детекторами малофотонных оптических сигналов и радиации.
фотоэффект, фотодиод, лавинный фото- диод (ЛФД), гейгеровский ЛФД, однофотон- ный ЛФД, кремниевый фотоумножитель
1. Виноградов С.Л. Твердотельные детекторы оптических сигналов и радиации. Часть 1.1. Обзор конструкций и характеристик детекторов//АНРИ. 2024. № 4(119). С. 13-27.
2. W.S. Boyle, G.E. Smith, «Charge Coupled Semiconductor Devices», Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 587-593, 1970. Doi:https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1970.tb01790.x.
3. M.F. Tompsett, G.F. Amelio, G.E. Smith, «Charge coupled 8-bit shift register», Appl. Phys. Lett, vol. 17, pp. 111-115, 1970. Doi:https://doi.org/10.1063/1.1653327.
4. R.H. Walden, R.H. Rambeck, at all, «The Buried Channel Charge Coupled Device», Semicond. Devices Pioneer. Pap., World Scientific, pp. 577-582, 1991. Doi:https://doi.org/10.1142/9789814503464_0075.
5. N. Teranishi, «Recent Progresses of Visible Light Image Sensors», Cern Detect. Semin., 2018. URL: https://indico.cern.ch/event/706286/attachments/1601588/2547606/20180223CERN_ver2.pdf (дата обращения: 9.01.2025).
6. E.R. Fossum, «CMOS image sensors: electronic camera on a chip», Proc. Int. Electron Devices Meet., IEEE, pp. 17-25, 1995. Doi:https://doi.org/10.1109/IEDM.1995.497174.
7. Y. Bai, J. Bajaj at all, «Teledyne Imaging Sensors: silicon CMOS imaging technologies for X-ray, UV, visible, and near infrared», D.A. Dorn, A.D. Holland (Eds.), Proc. SPIE 7021, High Energy, Opt. Infrared Detect. Astron. III, 16 pp., 2008, 702102. Doi:https://doi.org/10.1117/12.792316.
8. E.R. Fossum, «What to Do with Sub-Diffraction-Limit (SDL) Pixels? – A Proposal for a Gigapixel Digital Film Sensor (DFS)», ISSCC Dig. Tech. Pap., 2005. http://ci.nii.ac.jp/naid/10017286603/ en/ (accessed November 8, 2018).
9. J. Ma, D. Starkey and all, «Characterization of Quanta Image Sensor Pump-Gate Jots With Deep Sub-Electron Read Noise», IEEE J. Electron Devices Soc. 3, pp. 472-480, 2015. Doi: 10.1109/ JEDS.2015.2480767.
10. E. Fossum, J. Ma, at all, «The Quanta Image Sensor: Every Photon Counts», Sensors, vol. 16, 2016. Doi:https://doi.org/10.3390/s16081260.
11. J. Ma, S. Masoodian, at all, «Photon-number-resolving megapixel image sensor at room temperature without avalanche gain», Optica, vol. 4, pp. 1474, 2017. Doi:https://doi.org/10.1364/OPTICA.4.001474.
12. N. Smith, C. Coates, at all, «EMCCD technology and its impact on rapid low-light photometry», Opt. Infrared Detect. Astron., vol. 162, pp. 5499, 2004. Doi:https://doi.org/10.1117/12.549789.
13. I. Rech, A. Gulinatti at all, «High-performance silicon single-photon avalanche diode array», Proc. SPIE., vol. 7320, pp. 73200H-73200H-12, 2009. Doi:https://doi.org/10.1117/12.818516.
14. I. Sacco, P. Fischer, A. Gola, C. Piemonte, «Interpolating Silicon Photo-Multiplier: A novel position sensitive device with submillimeter spatial resolution and depth of interaction capability», IEEE Nucl. Sci. Symp. Med. Imaging Conf., (2013 NSS/MIC), IEEE, pp. 1-3, 2013. Doi: 10.1109/ NSSMIC.2013.6829589.
15. A. Ferri, F. Acerbi, at all, «Characterization of Linearly Graded Position-Sensitive Silicon Photomultipliers», IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 62, pp. 688-693, 2015. Doi:https://doi.org/10.1109/TNS.2015.2396671.
16. V. Schulz, Y. Berker, at all, «Sensitivity encoded silicon photomultiplier – a new sensor for highresolution PET-MRI», Phys. Med. Biol., vol. 58, pp. 4733-4748, 2013. Doi:https://doi.org/10.1088/0031-9155/58/ 14/4733.
17. C. Li, S. Wang, L. Huo at all, «Position Sensitive Silicon Photomultiplier With Intrinsic Continuous Cap Resistive Layer», IEEE Trans. Electron Devices., vol. 61, pp. 3229-3232, 2014. Doi: 10.1109/ TED.2014.2336171.
18. Y. Peng, T. Zhao, K. Liang, R. Yang, D. Han, «Characterization of Position Measurement Error, Position Resolution and Photoelectron Number Resolution for Position-Sensitive SiPMs», Int. Conf. Advan. SiPM, Schwetzingen, Germany, 2018. URL: https://indico.gsi.de/event/6990/session/14/ contribution/7/material/slides/0.pdf (дата обращениия: 9.01.2025).
19. H. Dautet, P. Deschamps, B. Dion at all, «Photon counting techniques with silicon avalanche hotodiodes», Appl. Opt. vol. 32, pp. 38-94, 1993. Doi:https://doi.org/10.1364/ao.32.003894.
20. C. Dege, G. Prescher, T. Frach et al, «The digital Silicon Photomultiplier; A novel sensor for the detection of scintillation light» in: IEEE Nucl. Sci. Symp. Conf. Rec., IEEE, 2009: pp. 2383-2386, 2009. Doi:https://doi.org/10.1109/NSSMIC. 2009.5402190.
21. A.V. Akindinov, A.N. Martemianov, P.A. Polozov, V.M. Golovin, E.A. Grigoriev, «New results on MRS APDs», Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. A Accel. Spectrometers, Detect. Assoc. Equip. no. 387, pp. 231-234, 1997. Doi:https://doi.org/10.1016/S0168-9002(96)01201-6.
