В статье предложена усовершенствованная технология изготовления поверхностно-барьерных детекторов (ПБД) на кремнии n-типа проводимости, приспособленная для изготовления ПБД, используемых в радиометрах радона. Детекторы имеют светозащиту, стабильные в принятых условиях эксплуатации характеристики, оптимально отвечающие требованиям для работы в приборе. Технология позволяет обеспечить высокий выход годных счетчиков, что снижает их себестоимость. Показана возможность изготовления ПБД на тонких кремниевых пластинах, забракованных для дальнейшего применения в планарной технологии.
поверхностно-барьерные детекторы (ПБД), кремний, краевой эффект, выпрямляющий контакт, вольт-амперные характеристики (ВАХ), альфа-спектрометрия, светозащита, пиридин, теорема Шокли-Рамо
1. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. Пер. с англ. Под ред. Вавилова В.С. М.: Мир. 1966.
2. Акимов Ю.К., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф., Юнгклауссен Х. Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение. Под ред. канд. физ.-мат. наук Акимова Ю.К. М.: Атомиздат, 1967. 255 с.
3. Салохина М.М. Исследование эффекта понижения высоты барьера в ПБД ядерных излучений на основе структуры золото–кремний. Диссертация на соискание канд. физ.-мат. наук. ИЯИ, 2005, Москва.
4. D. Torrieri. The radiometer and its practical implementation. 2010-MILCOM 2010 Military communications conference, ieee, 2010. рр. 304-310.
5. Лашаев C.И. Кремниевые ПБД большой площади и сложной конфигурации. Диссертация на соискание канд. техн. наук. Радиевый институт им. В.Г. Хлопина, 1986, Ленинград.
6. S.A. Radzhapov, R.Kh. Rakhimov, B.S. Radzhapov et al. «Development of a radiometer based on silicon detectors with a large sensitive area», Computational Nanotechnology, 2019. no. 1, рp. 65-68. (In Rus.).
7. Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Рахимов Р.Х. Особенности технологии изготовления кремниевых поверхностно-барьерных детекторов большой чувствительной рабочей площади для измерения активности естественных изотопов//Computational Nanotechnology. 2018. № 1. С. 151-154.
8. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов в 2-х книгах. Перевод с английского: канд. физ.-мат. наук Гергеля В.А. и канд. техн. наук Ракитина В.В. под редакцией д-ра физ.-мат. наук Суриса Р.А. М.: Мир, 1984. Т. 1, 295 с.
9. Лашаев С.И. RU 2726994 C1, приоритет 2020.07.17.
10. Лашаев С.И. и др. Положительное решение по заявке № 3857078 от 29.12.1984.
11. Лашаев С.И., Соловьев С.М. А.с. №1.122.155, приоритет от 22.07.83.
12. Шугуров А.Р., Панин А.В. Механизмы возникновения напряжений в тонких пленках и покрытиях// Журнал технической физики. 2020. Том 90. Вып. 12. C. 1971-1994.
13. Кушнирук В.Ф., Никитина Р.А., Харитонов Ю.П. Поверхностно-барьерные детекторы из кремния p-типа: Способ изготовления и характеристики//Объеден. ин-т ядерных исследований. C. 13-6578. Дубна, 1972.
